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机薄膜晶体管领域最新研究成果南方科技大学郭

时间:2018-04-14 14:31来源:未知 作者:admin 点击:
于有机电子领域的发展不可或缺高性能n-型有机半导体材料对▪,体(donor-acceptor)结构其中n-型聚合物材料大多采用给体-受◆●★。机薄膜晶体管电子迁移率较高基于给体-受体聚合物

  于有机电子领域的发展不可或缺高性能n-型有机半导体材料对▪…,体(donor-acceptor)结构其中n-型聚合物材料大多采用给体-受◆•●★。机薄膜晶体管电子迁移率较高基于给体-受体聚合物的有▷☆▽-,但普遍表现出双极性特征并带来器件关电流偏大(>

  于有机电子领域的发展不可或缺高性能n-型有机半导体材料对▷○▪☆▽•,体(donor-acceptor)结构其中n-型聚合物材料大多采用给体-受▽-。机薄膜晶体管电子迁移率较高基于给体-受体聚合物的有△□☆◆▽□,征并带来器件关电流偏大但普遍表现出双极性特(

  聚物PDTzTI的化学结构图1. (a)全受体类型均□▷●■…△,的单晶结构以及单体□▲△•=;管器件结构和性能曲线(b)有机薄膜晶体=□••△。

  论文中在该★▼,了两种新型噻唑酰亚胺缺电子受体单元郭旭岗副教授课题组设计并成功合成▲•,均聚物PDTzTI(图1a)并在其基础上得到全受体类型☆◆★…■。D分析表明单晶XR□…=▪-,共价键相互作用因而平面性较好DTzTI单体中存在S…N非◇◆●○…▽,积也非常紧密单体间的π堆□-…○◁,全受体聚合物非常适合构建☆…。使得聚合物的前沿轨道能级较低噻唑酰亚胺的强拉电子能力也…◁◇▲,注入并提升器件稳定性有利于晶体管中电子•=▪▽,和降低器件关电流同时抑制空穴注入•…-□=★。现出优异的单极性n-型输运性能(图1b)基于PDTzTI的有机薄膜晶体管器件表▼□•★◇。6 cm2 V-1 s-1晶体管电子迁移率达到1.▽▽•,10-10−11A关电流仅为10−▪▷▲▼=,达107-108因而电流开关比高□△☆••。聚物材料中的最高纪录该迁移率是全受体均●▲■,显著优于常见给体-受体共聚物材料同时在晶体管关电流和开关比性能上△■◁▲◆▷,n-型聚合物材料的有效途径表明全受体结构是实现单极性☆■▲▷▼▪,型材料的设计提供重要参考依据为新型受体单元和单极性n-◁◆◆△□△。

  理教授郭晗博士为论文的共同第一作者郭旭岗课题组实验员史永强和研究助…★●○-☆,大学博士生)完成理论计算本科生王雨伦(现美国石溪◁◆▪,验室对材料进行同步辐射表征香港中文大学路新慧教授实▽◁□。市孔雀团队、深圳市重点实验室等项目支持该项研究得到了国家自然科学基金、深圳=□◇。

  科技

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